根據韓聯社的報導，南韓記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）於 10 日宣布，研發出全球首款，容量 256Gb 的第 4 代 72 層堆疊 3D NAND Flash，預計 2017 年下半年量產。而該產品量產後，將超越日前由日本半導體大廠東芝（Toshiba）所推出的容量 256Gb 的 64 層 3D NAND Flash 的儲存密度。
報導指出，NAND Flash 記憶體供應商為滿足客戶不斷增加的儲存空間需求，正不斷強化 3D 堆疊設計，提升 NAND Flash 的儲存密度。其中，雖然南韓記憶體大廠三星電子和東芝都已經研發出 3D NAND Flash，但僅堆疊到 64 層。而本次，SK 海力士研發出的 3D NAND Flash 達到 72 層架構，與其他兩家公司的產品相同，SK 海力士的 72 層架構 3D NAND Flash 也提供 256Gb 的儲存容量。
報導中進一步強調，SK 海力士自從 2016 年第 2 季開始量產 36 層堆疊架構的 3D NAND Flash（128Gb），同年 11 月，開始量產 48 層堆疊架構的 3D NAND Flash（256Gb）。根據 SK 海力士內部一位負責人表示，成功研發出 72 層堆疊架構的 3D NAND Flash，意味著公司已掌握產業中最頂尖的技術。
當前，由人工智慧（AI）、大數據等資訊科學領導的第 4 次工業革命方興未艾，使 3D NAND Flash 的需求達到爆發式成長。根據市場調查機構 Gartner 公布的資料顯示，2017 年全球 NAND Flash 市場規模達 465 億美元。而到 2021 年，市場規模可望達到 565 億美元，這使各家大廠紛紛加入，搶食大餅。
（首圖來源：SK Hynix）